0919: MALTRATTO I MOSFET SiC 2000V CON SCARICHE ELETTRICHE ⚡
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In questo episodio analizzo la tecnologia SiC, sperimentando i MOSFET al Carburo di Silicio. Analizzo le caratteristiche principali di questo materiale, che lo rendono più performante rispetto al Silicio tradizionale, in termini di potenza gestita, frequenza di commutazione, dissipazione del calore, massima tensione di breakdown e rendimento. Eseguo delle misure a banco sul parametro RDS ON utilizzando il generatore di corrente contnua proposto nel video 836 ( • 0836: Come misurare L'INDUTTANZA con DC BIAS ) ed eseguo dei test dinamici, che mettono sotto stress il MOSFET, con la generazione di archi elettrici.
⏰ Indice:
0:00 Prologo e Sigla
1:04 Introduzione
2:25 Vantaggi Tecnologia MOSFET SiC
6:54 Dispositivi SiC Infineon
7:20 Analisi datasheet Sic 1200V 50A IMZ120R030M1H
10:15 Terminale Kelvin
12:30 Setup di Misura per RDSon
13:40 Misura RDSon SiC IMZ120R030M1H
17:21 Misura RDSon SiC IMYH200R012MIH
19:22 Misura RDSon Si K2611
20:00 Test dinamico con scintille
23:00 Forma d'onda di comando al gate
24:00 Extratensione al primario
25:00 Scariche ⚡
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